Диод 1N6323US
Подберем оборудование для
Вашего проекта
Вашего проекта
Предоставим бесплатно
образцы
образцы
Техническая поддержка
и консультация
и консультация
Доставка оборудования
от 7 дней
от 7 дней
1 175 руб.
Актуальную цену на данный товар уточняйте в отделе продаж!
Заказать
Получить консультацию
В наличии
| Страна | Соединенные Штаты |
| Производитель | MICROSEMI |
| Описание | Диод |
| Упаковка | Bulk |
| Допуск | ±5% |
| Вид монтажа | Surface Mount |
| Корпус | SQ-MELF, B |
| Рабочая температура | -65°C ~ 175°C |
| Рассеивание мощности | 500mW |
| Исполнение корпуса | B, SQ-MELF |
Все характеристики
- Описание
- Характеристики
Описание
Диоды (стабилитроны) 1N6323US Microsemi Corporation на складе в Санкт-Петербурге
Характеристики
| Артикул | 1N6323US |
| Страна | Соединенные Штаты |
| Производитель | MICROSEMI |
| Описание | Диод |
| Упаковка | Bulk |
| Допуск | ±5% |
| Вид монтажа | Surface Mount |
| Корпус | SQ-MELF, B |
| Рабочая температура | -65°C ~ 175°C |
| Рассеивание мощности | 500mW |
| Исполнение корпуса | B, SQ-MELF |
| Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If | 1.4V @ 1A |
| Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) | 1µA @ 7V |
| Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz) | 9.1V |
| Импеданс (Макс) (Zzt) | 500 Ohms |
PDF
Товар успешно добавлен в корзину!
