Санкт-Петербург
  • А
  • Б
  • Ч
  • Е
  • Х
  • И
  • К
  • Л
  • М
  • Н
  • О
  • П
  • Р
  • С
  • Т
  • У
  • В
  • Я
  • З
  • М
  • С
Заказать оборудование
Декабрь 2019
Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
25 26 27 28 29 30 01
02 03 04 05 06 07 08
09 10 11 12 13 14 15
16 17 18 19 20 21 22
23 24 25 26 27 28 29
30 31 01 02 03 04 05
Новости компании
  • 05-09-2019
    Завершил работу авиасалон «МАКС-2019»
    Подробнее
  • 05-06-2019
    «ОЭС Спецпоставка» участник МАКС – 2019!
    Подробнее
  • 22-01-2019
    "ОЭС СПЕЦПОСТВКА" - СПОНСОР 2-ОЙ РОССИЙСКОЙ ШКОЛЫ ПО КВАНТОВЫМ ТЕХНОЛОГИЯМ
    Подробнее

Высокомощный усилитель X-диапазона

GaN монолитная интегральная микросхема от компании UMS

Эта схема применяется в высокоэффективных системах общего и специального назначения в военной технике, также хорошо подходит для широкополосных микроволновых плат.

Она разработана на основе технологии pHEMT GaN 0.25 мкм и доступна для бескорпусных кристаллов.

Электротехнические характеристики

Траб=+25˚С; Vd=+6.0 B

Параметр min Тип max Единица измерения
Диапазон частот 8 11 ГГц
Линейное усиление 30 дБ
Выходная мощность (Pвход=30 dB) 44.5 дБм
Предельный КПД 40 %
Входной ток 2.2 А
Коэффициент напряжения -3.2 V
Вносимые потери -10 дБ
Потребляемый ток 0.75 А
Напряжение стока 30 V

Более подробную информацию можно получить, перейдя по ссылке.

DMCA.com Protection Status