Санкт-Петербург
  • А
  • Б
  • Ч
  • Е
  • Х
  • И
  • К
  • Л
  • М
  • Н
  • О
  • П
  • Р
  • С
  • Т
  • У
  • В
  • Я
  • З
  • М
  • С
Заказать оборудование
Декабрь 2019
Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
25 26 27 28 29 30 01
02 03 04 05 06 07 08
09 10 11 12 13 14 15
16 17 18 19 20 21 22
23 24 25 26 27 28 29
30 31 01 02 03 04 05
Новости компании
  • 05-09-2019
    Завершил работу авиасалон «МАКС-2019»
    Подробнее
  • 05-06-2019
    «ОЭС Спецпоставка» участник МАКС – 2019!
    Подробнее
  • 22-01-2019
    "ОЭС СПЕЦПОСТВКА" - СПОНСОР 2-ОЙ РОССИЙСКОЙ ШКОЛЫ ПО КВАНТОВЫМ ТЕХНОЛОГИЯМ
    Подробнее

Корпусной транзистор мощностью 130 Вт GaN HEMT на SiC

Он работает при высоких напряжениях (50 В) и имеет все ключевые преимущества GaN, такие, как высокая мощность (130 Вт), высокий КПД (до 70%), широкополосный диапазон частот до 1.5 ГГц, совместим с импульсным и непрерывным рабочим режимом. Он создает низкие шумы и низкое температурное сопротивление корпуса.

Это устройство многоцелевого назначения, применяемое в телекоммуникациях и радиолокации.

Схема разработана на основе 0.5мкм GaAs pHEMT технологии.

Tраб=+25˚С

Рекомендации по эксплуатации в соответствии с нагрузкой:

Символ Параметр тип Max Единица измерения Режим работы
VDC Входное напряжение 59 В
VGS_Q Выходное напряжение -1.9 В VD=50V. ID_Q=640mA
ID_Q Статическая нагрузка 0.64 1.5 A VD=50V
ID_MAX Потребляемый ток 3.1 может изменяться A VD=50V режим компрессии
IG_MAX Ток управления 0 30 мА режим компрессии
TMAX Температура перехода 200 ˚C
DMCA.com Protection Status