Июнь 2022
Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
30 31 01 02 03 04 05
06 07 08 09 10 11 12
13 14 15 16 17 18 19
20 21 22 23 24 25 26
27 28 29 30 01 02 03
Новости компании

Высокомощные GaN транзисторы компании UMS

  • Высокая мощность;
  • Высокий КПД;
  • Широкая полоса частот;
  • Работа, как в импульсном, так и в постоянном режиме.

Транзисторы подходят для систем с высокими требованиями к мощности, КПД, надежности. Для достижения лучших показателей требуется точная настройка, по ULRC технологии компании производятся необходимые согласующие элементы.

Транзисторы выпускаются в корпусах с фланцами, герметичных и пластиковых.

CHK9013-99F CHK9014-99F
Максимальная частота 8 ГГц 13 ГГц
Pout max 85 Вт 55 Вт
КПД 65% (5 ГГц) 50% (12 ГГц)
Рабочая полоса До 8 ГГц До 13 ГГц
Питание Vd до 30В Vd до 30В
Технология GH25 GH25
Размеры 0.9x4.27x0.1 мм 0.88x4.27x0.1 мм

Измерения/моделирование (результаты измерений представлены разноцветными точками, моделирования черными контурами) для CHK9013-99F в импульсном режиме (3ГГц, Vd=28В, Idq=0мА)

Измерения/моделирование для CHK9014-99F в импульсном режиме (6ГГц, Vd=30В, Idq=87мА)

Компания «ОЭС Спецпоставка» представляет весь спектр продукции UMS на территории РФ и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции, полную техническую поддержку, а также предоставление образцов. Получить дополнительную информацию вы можете на сайте производителя UMS или обратившись в нашу компанию.

Высокомощные GaN транзисторы компании UMS Высокомощные GaN транзисторы компании UMS Высокая мощность; Высокий КПД; Широкая полоса частот; ? абота, как в импульсном, так и в постоянном режиме. Транзисторы подходят для систем с высокими требованиями к мо...
DMCA.com Protection Status