AI1703 - Управляемый напряжением генератор S – диапазона с низким фазовым шумом

GaAs монолитная СВЧ интегральная схема в SMD корпусе
Микросхема содержит варактор, буферный усилитель и обеспечивает низкий уровень фазового шума -108 дБс/Гц при смешении 100 кГц. Источник питания 3В/50мА. Схема подходит для широкого спектра применений как в космических так и гражданских системах связи. ГУН разработан на основе InGaP HBT технологии: эмиттер 2 микрона, отверстия в подложке и высокодобротные пассивные элементы.

Электрические характеристики
Tamb=+25oC, Vd=+3В
Параметр | min | Тип | max | Единицы измерения |
---|---|---|---|---|
Полоса частот | 2.6 | 3 | ГГц | |
Диапазон настройки напряжения | 0 | 10 | В | |
Настройка чувствительности | 40 | 110 | МГц/В | |
Температурный уход частоты | 0.3 | МГц/ oC | ||
Фазовый шум при отстройке 10кГц | -85 | дБс/Гц | ||
Фазовый шум при отстройке 100кГц | -108 | дБс/Гц | ||
Крутизна управления | 14 | МГц/В | ||
Выходная мощность | 8 | дБм | ||
Изменение выходной мощности | 0.8 | дБ | ||
Напряжение питания | 3 | 3.5 | В | |
Ток питания | 50 | мА |
Максимальные и минимальные значения
Tamb=+25oC
Параметр | Значение | |
---|---|---|
Настаиваемое напряжение | 15 | В |
Постоянное смещение стока напряжения | 8 | В |
Смещение потребляемого тока | 100 | мА |
Температура перехода | 175 | ˚С |
Температура эксплуатации | от -55 до +125 | ˚С |
Температура хранения | от -55 до +150 | ˚С |
Типовые испытательные измерения
Траб=-40, +25, +85˚С; V= +3B; Id=50 мА
Частота на выходе в зависимости от напряжения

Чувствительность в зависимости от напряжения

Выходная мощность в зависимости от частоты

Ток питания в зависимости от частоты

Фазовый шум в зависимости при отстройке


Схема упаковки

Компания «ОЭС Спецпоставка» представляет весь спектр продукции UMS на территории РФ и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции, полную техническую поддержку, а также предоставление образцов. Получить дополнительную информацию вы можете на сайте производителя UMS или обратившись в нашу компанию.