Июнь 2022
Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
30 31 01 02 03 04 05
06 07 08 09 10 11 12
13 14 15 16 17 18 19
20 21 22 23 24 25 26
27 28 29 30 01 02 03
Новости компании

Одиночные чипы и массивы GaAs фотодиодов 850 нм 25 Гбит/с от компании II-VI Laser Enterprise

Вооруженные передовыми технологиями полупроводниковых лазеров, широкими производственными возможностями и современным оборудованием, инженеры компании производит лазерные компоненты высокой мощности, позволяющие использовать волоконные и прямые полупроводниковые лазерные системы в различных областях, таких как обработка материалов, медицина, научная деятельность, потребительское применение и т.д.

Высокоскоростные 850нм PIN фотодиоды II-VI предназначены для высокоскоростной передачи данных. Надежное устройство спроектировано с низкими электрическими потерями для обеспечения скорости передачи данных до 25 Гбит / с.

Особенности:

  • Большой размер апертуры;
  • Высокая чувствительность;
  • Низкое рабочее напряжение;
  • Низкое ёмкостное сопротивление;
  • Низкий темновой ток;
  • Скорость передачи данных до 25 Гбит / с;
  • Верхняя анодная и катодная конфигурация;
  • Доступны как одиночные чипы и массивы (12 каналов).

Электрооптические характеристики при T = 25 ° C

Параметр Обозначение Условия Значения Ед. измерения
Мин. Тип. Макс
Диаметр апертуры d 40 мкм
Длина волны λ 840 850 860 нм
Чувствительность R 0,55 0,6 0,65 А/Вт
Темновой ток Id Uop=-2V 3 100 пА
Напряжение пробоя UBD -80 В
Ёмкостное сопротивление C Uop=-2V 50 75 100 фФ
3дБ пропускная способность f3dB Uop=-2V 20 ГГц

Применения:

  • Параллельные волоконно-оптические линии связи;
  • AOC и трансиверы.

Технические характеристики APA1201010000, APA1201040000, APA1201120000

Компания «ОЭС Спецпоставка» представляет весь спектр продукции II-VI Laser Enterprise на территории РФ и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции, полную техническую поддержку, а также предоставление образцов. Получить дополнительную информацию вы можете на сайте производителя II-VI Laser Enterprise или обратившись в нашу компанию.

Одиночные чипы и массивы GaAs фотодиодов 850 нм 25 Гбит/с от компании II-VI Laser Enterprise Одиночные чипы и массивы GaAs фотодиодов 850 нм 25 Гбит/с от компании II-VI Laser Enterprise Вооруженные передовыми технологиями полупроводниковых лазеров, широкими производственными возможностями и современным оборудованием, инженеры компании производит лазерные компон...
DMCA.com Protection Status