Одиночные чипы и массивы GaAs фотодиодов 850 нм 25 Гбит/с от компании II-VI Laser Enterprise
Вооруженные передовыми технологиями полупроводниковых лазеров, широкими производственными возможностями и современным оборудованием, инженеры компании производит лазерные компоненты высокой мощности, позволяющие использовать волоконные и прямые полупроводниковые лазерные системы в различных областях, таких как обработка материалов, медицина, научная деятельность, потребительское применение и т.д.
Высокоскоростные 850нм PIN фотодиоды II-VI предназначены для высокоскоростной передачи данных. Надежное устройство спроектировано с низкими электрическими потерями для обеспечения скорости передачи данных до 25 Гбит / с.
Особенности:
- Большой размер апертуры;
- Высокая чувствительность;
- Низкое рабочее напряжение;
- Низкое ёмкостное сопротивление;
- Низкий темновой ток;
- Скорость передачи данных до 25 Гбит / с;
- Верхняя анодная и катодная конфигурация;
- Доступны как одиночные чипы и массивы (12 каналов).
Электрооптические характеристики при T = 25 ° C
| Параметр | Обозначение | Условия | Значения | Ед. измерения | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Мин. | Тип. | Макс | ||||
| Диаметр апертуры | d | 40 | мкм | |||
| Длина волны | λ | 840 | 850 | 860 | нм | |
| Чувствительность | R | 0,55 | 0,6 | 0,65 | А/Вт | |
| Темновой ток | Id | Uop=-2V | 3 | 100 | пА | |
| Напряжение пробоя | UBD | -80 | В | |||
| Ёмкостное сопротивление | C | Uop=-2V | 50 | 75 | 100 | фФ |
| 3дБ пропускная способность | f3dB | Uop=-2V | 20 | ГГц | ||
Применения:
- Параллельные волоконно-оптические линии связи;
- AOC и трансиверы.
Технические характеристики APA1201010000, APA1201040000, APA1201120000
Компания «ОЭС Спецпоставка» представляет весь спектр продукции II-VI Laser Enterprise на территории РФ и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции, полную техническую поддержку, а также предоставление образцов. Получить дополнительную информацию вы можете на сайте производителя II-VI Laser Enterprise или обратившись в нашу компанию.
