Июнь 2022
Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
30 31 01 02 03 04 05
06 07 08 09 10 11 12
13 14 15 16 17 18 19
20 21 22 23 24 25 26
27 28 29 30 01 02 03
Новости компании

37-40.5 ГГц Высокомощный корпусной усилитель GaAs монолитная интегральная микросхема от компании UMS

Имеет усиление 20 дБ и предельную выходную мощность 32 дБм, КПД 20% от источника 6 В. Контроль усиления свыше 15 дБ достигается благодаря коэффициенту напряжения с номинальным потребляемым током 0.8 А. Кроме этого, схема имеет хорошую возвращаемость потерь и полную защиту от статического электричества.

Микросхема высоко-линейна и совместима с последними разработками в цифровых пре-искажениях (DPD). Протестирована на двухточечных линиях передач.

Микросхема разработана по технологии pHEMT 0.15 мкм и будет применима для поверхностей с типом корпуса QFN 6х5 и поверхностным монтажом для 36 выводов.

Электротехнические характеристики: Траб=+25˚С; Vd=+6.0 B

Параметр min Тип max Единица измерения
Диапазон частот 37 40 ГГц
Усиление сигнала 20 дБ
Изменение усиления от температуры +/- 0.04 дБ /˚С
Предельная выходная мощность 32 дБм
OIP3 42 дБм
Максимальный КПД 20 %
Регулируемое усиление 15
Входная возвращаемость потерь 13 дБ
Выходная возвращаемость потерь 13
Регистрирующий диапазон (для выходной мощности) 32
Регистрирующее напряжение (Vref-Vdet) От 5 до 2500 мВ
Коэфф. Напряжения - 0.65 В
Полный ток на выходе 0.8 А

Технические характеристики

Компания “ОЭС Спецпоставка” представляет весь спектр продукции UMS на территории РФ и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции, а также полную техническую поддержку.

37-40.5 ГГц Высокомощный корпусной усилитель GaAs монолитная интегральная микросхема от компании UMS 37-40.5 ГГц Высокомощный корпусной усилитель GaAs монолитная интегральная микросхема от компании UMS Имеет усиление 20 дБ и предельную выходную мощность 32 дБм, КПД 20% от источника 6 В. Контроль усиления свыше 15 дБ достигается благодаря коэффициенту напряжения с номинальным п...
DMCA.com Protection Status