Июнь 2022
Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
30 31 01 02 03 04 05
06 07 08 09 10 11 12
13 14 15 16 17 18 19
20 21 22 23 24 25 26
27 28 29 30 01 02 03
Новости компании

Высокомощный усилитель X-диапазона

GaN монолитная интегральная микросхема от компании UMS

Эта схема применяется в высокоэффективных системах общего и специального назначения в военной технике, также хорошо подходит для широкополосных микроволновых плат.

Она разработана на основе технологии pHEMT GaN 0.25 мкм и доступна для бескорпусных кристаллов.

Электротехнические характеристики

Траб=+25˚С; Vd=+6.0 B

Параметр min Тип max Единица измерения
Диапазон частот 8 11 ГГц
Линейное усиление 30 дБ
Выходная мощность (Pвход=30 dB) 44.5 дБм
Предельный КПД 40 %
Входной ток 2.2 А
Коэффициент напряжения -3.2 V
Вносимые потери -10 дБ
Потребляемый ток 0.75 А
Напряжение стока 30 V

Более подробную информацию можно получить, перейдя по ссылке.

Высокомощный усилитель X-диапазона Высокомощный усилитель X-диапазона GaN монолитная интегральная микросхема от компании UMS Эта схема применяется в высокоэффективных системах общего и специального назначения в военной технике, также хорошо подхо...
DMCA.com Protection Status