Высокомощный усилитель X-диапазона
GaN монолитная интегральная микросхема от компании UMS
Эта схема применяется в высокоэффективных системах общего и специального назначения в военной технике, также хорошо подходит для широкополосных микроволновых плат.
Она разработана на основе технологии pHEMT GaN 0.25 мкм и доступна для бескорпусных кристаллов.
Электротехнические характеристики
Траб=+25˚С; Vd=+6.0 B
| Параметр | min | Тип | max | Единица измерения |
|---|---|---|---|---|
| Диапазон частот | 8 | 11 | ГГц | |
| Линейное усиление | 30 | дБ | ||
| Выходная мощность (Pвход=30 dB) | 44.5 | дБм | ||
| Предельный КПД | 40 | % | ||
| Входной ток | 2.2 | А | ||
| Коэффициент напряжения | -3.2 | V | ||
| Вносимые потери | -10 | дБ | ||
| Потребляемый ток | 0.75 | А | ||
| Напряжение стока | 30 | V |
Более подробную информацию можно получить, перейдя по ссылке.
