Июнь 2022
Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
30 31 01 02 03 04 05
06 07 08 09 10 11 12
13 14 15 16 17 18 19
20 21 22 23 24 25 26
27 28 29 30 01 02 03
Новости компании

Высокомощный корпусной GaN транзистор 25 Вт от компании UMS

Это новое технологическое решение компании UMS многофункционального назначения с широкополосной передачей данных для радиочастотных приборов. Он универсален для различных радаров и телекоммуникационных систем.

CHK025A-SOA разработан на основе технологии GaN pHEMT 0.5мкм и нуждается в дополнительной согласующей схеме.

Главные характеристики:

  • Широкополосность: более 5 ГГц;
  • Постоянный и импульсный режим работы;
  • Высокомощный: более 25 Вт;
  • Высокоэффективный: более 70%;
  • Постоянное энергопотребление: V=50 B, I=200 мА;
  • Защита от статического электричества на основе модели тела человека: Класс 1В (500 В).
Высокомощный корпусной GaN транзистор 25 Вт от компании UMS Высокомощный корпусной GaN транзистор 25 Вт от компании UMS Это новое технологическое решение компании UMS многофункционального назначения с широкополосной передачей данных для радиочастотных приборов. Он универсален для различных радаро...
DMCA.com Protection Status