Июнь 2022
Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
30 31 01 02 03 04 05
06 07 08 09 10 11 12
13 14 15 16 17 18 19
20 21 22 23 24 25 26
27 28 29 30 01 02 03
Новости компании

Корпусной GaN HEMT на SiC транзистор мощностью 40 Вт от компании UMS

CHK040A-SOA разработан по технологии 0.5 мкм GaN HEMT, нуждается в дополнительной согласующей схеме, применяется в керамико-металлических наружных блоках питания.

Основные характеристики:

  • Широкополосность: более 3.5 ГГц;
  • Постоянный и импульсный режим работы;
  • Высокомощный: более 45 Вт;
  • Высокоэффективный: более 70%;
  • Постоянное энергопотребление: V=50 B, I=300 мА;
  • Защита от статического электричества на основе модели тела человека: Класс 1В (1 кВ).

V=50 В, I=300 мА, Частота=3 ГГц, импульсный режим

V=50 В, I=300 мА, Частота=3 ГГц, импульсный режим

Полная эффективность корпусных девайсов

Технические параметры:

Траб=+25˚С, импульсный режим, Частота=3 ГГц, V=50В, I=300 мА

Параметр min тип max Единица измерения
Малое усиление сигнала 16 18 - дБ
Предельная выходная мощность 45 55 - Вт
Макс. КПД 55 60 - %
Усилиление при макс. КПД 13 - дБ

Электротехнические характеристики:

Траб=+25˚С

Параметр min Тип max Единица измерения
Постоянное напряжение 20 50 В
Коэф. Напряжения -1.9 В V=50 В, I=300 мА
Постоянный ток 0.3 1 А V=50 В
Ток выхода 2 Ограниченная мощность рассеяния А V=50 В Режим компрессии
Ток в режиме прямого смещения 0 12 мА Режим компрессии
Температура перехода 200 ˚С

Максимальные и минимальные значения:

Траб=+25˚С

Параметр Величина Единица измерения
Постоянное напряжение 60 В
Коэф. Напряжения -10, +2 В
Режим прямого смещения 72 мА
Реверсивный режим -8 мА
Максимальный ток выхода 6 А
Максимальная входная мощность 39 дБм
Температура перехода 230 ˚С
Температура хранения от -55 до +150 ˚С

Максимальное усиление и характеристика устойчивости:

Траб=+25˚С, постоянный режим, V=50V, I=300 мА

Основные показатели:

Траб= +25 ˚С, Импульсный режим

Корпусной GaN HEMT на SiC транзистор мощностью 40 Вт от компании UMS Корпусной GaN HEMT на SiC транзистор мощностью 40 Вт от компании UMS CHK040A-SOA разработан по технологии 0.5 мкм GaN HEMT, нуждается в дополнительной согласующей схеме, применяется в керамико-металлических наружных блоках питания. Основные хара...
DMCA.com Protection Status