Корпусной GaN HEMT на SiC транзистор мощностью 40 Вт от компании UMS
CHK040A-SOA разработан по технологии 0.5 мкм GaN HEMT, нуждается в дополнительной согласующей схеме, применяется в керамико-металлических наружных блоках питания.
Основные характеристики:
- Широкополосность: более 3.5 ГГц;
- Постоянный и импульсный режим работы;
- Высокомощный: более 45 Вт;
- Высокоэффективный: более 70%;
- Постоянное энергопотребление: V=50 B, I=300 мА;
- Защита от статического электричества на основе модели тела человека: Класс 1В (1 кВ).
V=50 В, I=300 мА, Частота=3 ГГц, импульсный режим
V=50 В, I=300 мА, Частота=3 ГГц, импульсный режим
Полная эффективность корпусных девайсов
Технические параметры:
Траб=+25˚С, импульсный режим, Частота=3 ГГц, V=50В, I=300 мА
| Параметр | min | тип | max | Единица измерения |
|---|---|---|---|---|
| Малое усиление сигнала | 16 | 18 | - | дБ |
| Предельная выходная мощность | 45 | 55 | - | Вт |
| Макс. КПД | 55 | 60 | - | % |
| Усилиление при макс. КПД | 13 | - | дБ |
Электротехнические характеристики:
Траб=+25˚С
| Параметр | min | Тип | max | Единица измерения | |
|---|---|---|---|---|---|
| Постоянное напряжение | 20 | 50 | В | ||
| Коэф. Напряжения | -1.9 | В | V=50 В, I=300 мА | ||
| Постоянный ток | 0.3 | 1 | А | V=50 В | |
| Ток выхода | 2 | Ограниченная мощность рассеяния | А | V=50 В Режим компрессии | |
| Ток в режиме прямого смещения | 0 | 12 | мА | Режим компрессии | |
| Температура перехода | 200 | ˚С |
Максимальные и минимальные значения:
Траб=+25˚С
| Параметр | Величина | Единица измерения |
|---|---|---|
| Постоянное напряжение | 60 | В |
| Коэф. Напряжения | -10, +2 | В |
| Режим прямого смещения | 72 | мА |
| Реверсивный режим | -8 | мА |
| Максимальный ток выхода | 6 | А |
| Максимальная входная мощность | 39 | дБм |
| Температура перехода | 230 | ˚С |
| Температура хранения | от -55 до +150 | ˚С |
Максимальное усиление и характеристика устойчивости:
Траб=+25˚С, постоянный режим, V=50V, I=300 мА
Основные показатели:
Траб= +25 ˚С, Импульсный режим
