Июнь 2022
Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
30 31 01 02 03 04 05
06 07 08 09 10 11 12
13 14 15 16 17 18 19
20 21 22 23 24 25 26
27 28 29 30 01 02 03
Новости компании

Корпусной транзистор мощностью 130 Вт GaN HEMT на SiC

Он работает при высоких напряжениях (50 В) и имеет все ключевые преимущества GaN, такие, как высокая мощность (130 Вт), высокий КПД (до 70%), широкополосный диапазон частот до 1.5 ГГц, совместим с импульсным и непрерывным рабочим режимом. Он создает низкие шумы и низкое температурное сопротивление корпуса.

Это устройство многоцелевого назначения, применяемое в телекоммуникациях и радиолокации.

Схема разработана на основе 0.5мкм GaAs pHEMT технологии.

Tраб=+25˚С

Рекомендации по эксплуатации в соответствии с нагрузкой:

Символ Параметр тип Max Единица измерения Режим работы
VDC Входное напряжение 59 В
VGS_Q Выходное напряжение -1.9 В VD=50V. ID_Q=640mA
ID_Q Статическая нагрузка 0.64 1.5 A VD=50V
ID_MAX Потребляемый ток 3.1 может изменяться A VD=50V режим компрессии
IG_MAX Ток управления 0 30 мА режим компрессии
TMAX Температура перехода 200 ˚C
Корпусной транзистор мощностью 130 Вт GaN HEMT на SiC Корпусной транзистор мощностью 130 Вт GaN HEMT на SiC Он работает при высоких напряжениях (50 В) и имеет все ключевые преимущества GaN, такие, как высокая мощность (130 Вт), высокий КПД (до 70%), широкополосный диапазон частот до 1...
DMCA.com Protection Status