Полевой транзистор компании TRANSCOM — TC2876
Производители:
Transcom
Описание
- Описание
- Характеристики
| Частотный диапазон (ГГц) | 0.1-15 |
| Коэффициент усиления (дБ) | 7 (*) |
| Выходная мощность P1dB (дБм) | 36.5 (*) |
| IP3 (дБм) | 47 (**) |
| КПД (%) | 40% при 6 ГГц |
| Напряжение отсечки (В) | -1.7 (***) при Uси = 2 В, Iс = 24 мА |
| Напряжение пробоя (В) | 22 |
| Ток насыщения (мА) | 3000 при Uси = 2 В, Uзи = 0 В |
| Крутизна (мС) | 2000 при Uси = 2 В, Uзи = 0 В |
| Тепловое сопротивление (°C/Вт) | 3.5 |
Полевой транзистор компании TRANSCOM — TC2876
TC2876 — высокопроизводительный полевой транзистор, помещенный в керамический корпус совместно с pHEMT-транзистором TC1606. Данное устройство подходит для применения в схемах усилителей с большим динамическим диапазоном.
Уточнить наличие интересующей Вас товарной позиции можно по телефону: +7 (812) 7777‑080 (по будним дням с 9:30 до 18:00 по московскому времени) и e‑mail: contact@oessp.ru.
ОЭС "Спецпоставка" является крупнейшим поставщиком электронных компонентов и оборудования в России. Мы поставляем высококачественную продукцию при неизменно высоком уровне сервиса.
Сотрудничая с нами, вы получите полную инженерную поддержку на протяжении всего процесса поставки. Мы подберем оборудование и компоненты для вашего проекта, найдем альтернативные замены от надежных производителей из Юго-Восточной Азии. Заказанные вами функциональные блоки и модули будут доставлены в срок.
Наша компания предлагает удобные формы оплаты и различные способы доставки.
- Отправьте ПН, спецификацию изделий, сборочный чертеж и другие файлы проекта на contact@oessp.ru
- Получите консультацию, задайте вопросы по телефону 8 (800) 707-41-35 (бесплатно по всей России)
- Используйте форму для запроса у нас на сайте
+7 (812) 7777-080 (Санкт-Петербург)
8 (800) 707-41-35 (бесплатно по РФ)
| Производитель | Transcom |
| Артикул | TC2876 |
| Частотный диапазон (ГГц) | 0.1-15 |
| Коэффициент усиления (дБ) | 7 (*) |
| Выходная мощность P1dB (дБм) | 36.5 (*) |
| IP3 (дБм) | 47 (**) |
| КПД (%) | 40% при 6 ГГц |
| Напряжение отсечки (В) | -1.7 (***) при Uси = 2 В, Iс = 24 мА |
| Напряжение пробоя (В) | 22 |
| Ток насыщения (мА) | 3000 при Uси = 2 В, Uзи = 0 В |
| Крутизна (мС) | 2000 при Uси = 2 В, Uзи = 0 В |
| Тепловое сопротивление (°C/Вт) | 3.5 |
| Корпус | Керамика |
| * | при 6 ГГц, Uси = 8 В, Iс = 1200 мА |
| ** | при 6 ГГц, Uси = 8 В, Iс = 1200 мА, Pвых.1нес. = 23 дБм |
| *** | Варьируется в зависимости от модели |
