Июнь 2022
Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
30 31 01 02 03 04 05
06 07 08 09 10 11 12
13 14 15 16 17 18 19
20 21 22 23 24 25 26
27 28 29 30 01 02 03
Новости компании

Полевой фланцевый транзистор компании TRANSCOM — TC2696

PDF

Описание

  • Описание
  • Характеристики
  • PDF
Данные:
Частотный диапазон (ГГц) 0.1-12
Коэффициент усиления (дБ) 10 (*)
Выходная мощность P1dB (дБм) 33 (*)
IP3 (дБм) 43 (**)
КПД (%) 43% при 6 ГГц
Напряжение отсечки (В) -1.7 (***) при Uси = 2 В, Iс = 10 мА
Напряжение пробоя (В) 18
Ток насыщения (мА) 1250 при Uси = 2 В, Uзи = 0 В
Крутизна (мС) 850 при Uси = 2 В, Uзи = 0 В
Тепловое сопротивление (°C/Вт) 7
Цена : по запросу

Полевой транзистор компании TRANSCOM — TC2696

TC2696 — высокопроизводительный полевой транзистор, помещенный в фланцевый керамический корпус совместно с pHEMT-транзистором TC1606. Данное устройство подходит для применения в схемах усилителей с большим динамическим диапазоном.

Уточнить наличие интересующей Вас товарной позиции можно по телефону: +7 (812) 7777‑080 (по будним дням с 9:30 до 18:00 по московскому времени) и e‑mail: contact@oessp.ru.

ОЭС "Спецпоставка" является крупнейшим поставщиком электронных компонентов и оборудования в России. Мы поставляем высококачественную продукцию при неизменно высоком уровне сервиса.

Сотрудничая с нами, вы получите полную инженерную поддержку на протяжении всего процесса поставки. Мы подберем оборудование и компоненты для вашего проекта, найдем альтернативные замены от надежных производителей из Юго-Восточной Азии. Заказанные вами функциональные блоки и модули будут доставлены в срок.

Наша компания предлагает удобные формы оплаты и различные способы доставки.

Как сделать запрос, подобрать аналоги (замену) для оборудования и компонентов?
Телефоны

+7 (812) 7777-080 (Санкт-Петербург)

8 (800) 707-41-35 (бесплатно по РФ)

E-mail

Отправьте свой запрос, и наши специалисты свяжутся с вами в ближайшее время

Основные характеристики
Производитель Transcom
Артикул TC2696
Частотный диапазон (ГГц) 0.1-12
Коэффициент усиления (дБ) 10 (*)
Выходная мощность P1dB (дБм) 33 (*)
IP3 (дБм) 43 (**)
КПД (%) 43% при 6 ГГц
Напряжение отсечки (В) -1.7 (***) при Uси = 2 В, Iс = 10 мА
Напряжение пробоя (В) 18
Ток насыщения (мА) 1250 при Uси = 2 В, Uзи = 0 В
Крутизна (мС) 850 при Uси = 2 В, Uзи = 0 В
Тепловое сопротивление (°C/Вт) 7
Питание Uси = 8 В, Iс = 500 мА
Корпус Керамика
* при 6 ГГц, Uси = 8 В, Iс = 500 мА
** при 6 ГГц, Uси = 8 В, Iс = 500 мА, Pвых.1нес. = 20 дБм
*** Варьируется в зависимости от модели
Полевой транзистор компании TRANSCOM — TC2696 TC2696 — высокопроизводительный полевой транзистор, помещенный в фланцевый керамический корпус совместно с pHEMT-транзистором TC1606. Данное устройство подходит для применения в схемах усилителей с большим динамическим диапазоном. Уточнить наличие интересующей Вас товарной позиции можно по телефону: +7 (812) 7777‑080 (по будним дням с 9:30 до 18:00 по московскому времени) и e‑mail: contact@oessp.ru.
DMCA.com Protection Status