Получить КП
0
Февраль 2023
Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
30 31 01 02 03 04 05
06 07 08 09 10 11 12
13 14 15 16 17 18 19
20 21 22 23 24 25 26
27 28 01 02 03 04 05
Новости компании
  • 28-12-2022
    Поздравляем с Новым 2023 годом!
    Подробнее
  • 26-12-2022
    «ОЭС Спецпоставка» официальный партнёр NINGBO DEGSON ELECTRICAL
    Подробнее
  • 04-11-2022
    Поздравляем с Днём народного единства!
    Подробнее

Полевой транзистор компании TRANSCOM — TC1806

PDF

Описание

  • Описание
  • Характеристики
  • PDF
Полевой транзистор компании TRANSCOM — TC1806
Данные:
Частотный диапазон (ГГц) 0.1-15
Коэффициент усиления (дБ) 10 (*)
Выходная мощность P1dB (дБм) 36.5 (*)
IP3 (дБм) 47 (**)
КПД (%) 40% при 6 ГГЦ
Напряжение отсечки (В) -1.7 (***)
Напряжение пробоя (В) 22
Ток насыщения сток-исток (мА) 3000; Uси = 2 В, Uзи = 0 В
Крутизна (мС) 2000; Uси = 2 В, Uзи = 0 В
Тепловое сопротивление (°C/Вт) 2
Цена : по запросу
Под заказ

Полевой транзистор компании TRANSCOM — TC1806

TC1806 — псевдоморфный транзистор с высокой подвижностью электронов (pHEMT). Устройство выполнено с применением технологии сквозных отверстий. Выводы устройства покрыты золотом, что позволяет применять при монтаже методы термокомпрессионной сварки и ультразвуковой сварки с подогревом. Оборотная сторона устройства покрыта золотом,  что также делает возможным использование метода эвтетического AuSu-припоя. Данный транзистор найдёт применение в высокопроизводительных усилителях мощности, предназначенных для военных и коммерческих нужд.

Уточнить наличие интересующей Вас товарной позиции можно по телефону: +7 (812) 7777‑080 (по будним дням с 9:30 до 18:00 по московскому времени) и e‑mail: contact@oessp.ru.

Основные характеристики
Производитель Transcom
Артикул TC1806
Частотный диапазон (ГГц) 0.1-15
Коэффициент усиления (дБ) 10 (*)
Выходная мощность P1dB (дБм) 36.5 (*)
IP3 (дБм) 47 (**)
КПД (%) 40% при 6 ГГЦ
Напряжение отсечки (В) -1.7 (***)
Напряжение пробоя (В) 22
Ток насыщения сток-исток (мА) 3000; Uси = 2 В, Uзи = 0 В
Крутизна (мС) 2000; Uси = 2 В, Uзи = 0 В
Тепловое сопротивление (°C/Вт) 2
Исполнение Кристалл
* при 6 ГГЦ, Uси = 8 В, Ic = 1200 мА
** при 6 ГГЦ, Uси = 8 В, Ic = 1200 мА, Pвых.1нес. = 23 дБм
*** Варьируется в зависимости от модели
Полевой транзистор компании TRANSCOM — TC1806 TC1806 — псевдоморфный транзистор с высокой подвижностью электронов (pHEMT). Устройство выполнено с применением технологии сквозных отверстий. Выводы устройства покрыты золотом, что позволяет применять при монтаже методы термокомпрессионной сварки и ультразвуковой сварки с подогревом. Оборотная сторона устройства покрыта золотом,  что также делает возможным использование метода эвтетического AuSu-припоя. Данный транзистор найдёт применение в высокопроизводительных усилителях мощности, предназначенных для военных и коммерческих нужд. Уточнить наличие интересующей Вас товарной позиции можно по телефону: +7 (812) 7777‑080 (по будним дням с 9:30 до 18:00 по московскому времени) и e‑mail: contact@oessp.ru.
DMCA.com Protection Status