Полевой транзистор компании TRANSCOM — TC1806
Производители:
Transcom 
Описание
- Описание
- Характеристики
| Частотный диапазон (ГГц) | 0.1-15 |
| Коэффициент усиления (дБ) | 10 (*) |
| Выходная мощность P1dB (дБм) | 36.5 (*) |
| IP3 (дБм) | 47 (**) |
| КПД (%) | 40% при 6 ГГЦ |
| Напряжение отсечки (В) | -1.7 (***) |
| Напряжение пробоя (В) | 22 |
| Ток насыщения сток-исток (мА) | 3000; Uси = 2 В, Uзи = 0 В |
| Крутизна (мС) | 2000; Uси = 2 В, Uзи = 0 В |
| Тепловое сопротивление (°C/Вт) | 2 |
Полевой транзистор компании TRANSCOM — TC1806
TC1806 — псевдоморфный транзистор с высокой подвижностью электронов (pHEMT). Устройство выполнено с применением технологии сквозных отверстий. Выводы устройства покрыты золотом, что позволяет применять при монтаже методы термокомпрессионной сварки и ультразвуковой сварки с подогревом. Оборотная сторона устройства покрыта золотом, что также делает возможным использование метода эвтетического AuSu-припоя. Данный транзистор найдёт применение в высокопроизводительных усилителях мощности, предназначенных для военных и коммерческих нужд.
Уточнить наличие интересующей Вас товарной позиции можно по телефону: +7 (812) 7777‑080 (по будним дням с 9:30 до 18:00 по московскому времени) и e‑mail: contact@oessp.ru.
| Производитель | Transcom |
| Артикул | TC1806 |
| Частотный диапазон (ГГц) | 0.1-15 |
| Коэффициент усиления (дБ) | 10 (*) |
| Выходная мощность P1dB (дБм) | 36.5 (*) |
| IP3 (дБм) | 47 (**) |
| КПД (%) | 40% при 6 ГГЦ |
| Напряжение отсечки (В) | -1.7 (***) |
| Напряжение пробоя (В) | 22 |
| Ток насыщения сток-исток (мА) | 3000; Uси = 2 В, Uзи = 0 В |
| Крутизна (мС) | 2000; Uси = 2 В, Uзи = 0 В |
| Тепловое сопротивление (°C/Вт) | 2 |
| Исполнение | Кристалл |
| * | при 6 ГГЦ, Uси = 8 В, Ic = 1200 мА |
| ** | при 6 ГГЦ, Uси = 8 В, Ic = 1200 мА, Pвых.1нес. = 23 дБм |
| *** | Варьируется в зависимости от модели |
