Транзистор компании UMS — CHK8015-99F
Производители:
UMS
Описание
- Описание
- Характеристики
| Частотный диапазон (ГГц) | DC-18 |
| Коэффициент усиления (дБ) | 17 дБ при 9 ГГц |
| Выходная мощность насыщения (Вт) | 20 Вт при 9 ГГц |
| КПД (%) | 68% при 9 ГГц |
| Смещение | Uси = 30 В; Iс = 200 мА |
| Корпус | Кристалл |
| Размер (мм) | 2 х 0.88 х 0.1 |
GaN HEMT-транзистор компании UMS — CHK8015-99F
CHK8015-99F — нитрид-галиевый транзистор с высокой подвижностью электронов (GaN HEMT). Данный прибор подходит для широкого спектра применений, в том числе — для применения в радиолокационных и телекоммуникационных системах. CHK8015-99F разработан по GaN HEMT-технологии с длиной завтора 250нм. Для работы данному транзистору требуется внешняя согласованная схема.
Уточнить наличие интересующей Вас товарной позиции можно по телефону: +7 (812) 7777‑080 (по будним дням с 9:30 до 18:00 по московскому времени) и e‑mail: contact@oessp.ru.
ОЭС "Спецпоставка" является крупнейшим поставщиком электронных компонентов и оборудования в России. Мы поставляем высококачественную продукцию при неизменно высоком уровне сервиса.
Сотрудничая с нами, вы получите полную инженерную поддержку на протяжении всего процесса поставки. Мы подберем оборудование и компоненты для вашего проекта, найдем альтернативные замены от надежных производителей из Юго-Восточной Азии. Заказанные вами функциональные блоки и модули будут доставлены в срок.
Наша компания предлагает удобные формы оплаты и различные способы доставки.
- Отправьте ПН, спецификацию изделий, сборочный чертеж и другие файлы проекта на contact@oessp.ru
- Получите консультацию, задайте вопросы по телефону 8 (800) 707-41-35 (бесплатно по всей России)
- Используйте форму для запроса у нас на сайте
+7 (812) 7777-080 (Санкт-Петербург)
8 (800) 707-41-35 (бесплатно по РФ)
| Производитель | UMS |
| Артикул | CHK8015-99F |
| Частотный диапазон (ГГц) | DC-18 |
| Коэффициент усиления (дБ) | 17 дБ при 9 ГГц |
| Выходная мощность насыщения (Вт) | 20 Вт при 9 ГГц |
| КПД (%) | 68% при 9 ГГц |
| Смещение | Uси = 30 В; Iс = 200 мА |
| Корпус | Кристалл |
| Размер (мм) | 2 х 0.88 х 0.1 |
