Июнь 2022
Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
30 31 01 02 03 04 05
06 07 08 09 10 11 12
13 14 15 16 17 18 19
20 21 22 23 24 25 26
27 28 29 30 01 02 03
Новости компании

Транзистор компании UMS — CHK8015-99F

PDF

Описание

  • Описание
  • Характеристики
  • PDF
Данные:
Частотный диапазон (ГГц) DC-18
Коэффициент усиления (дБ) 17 дБ при 9 ГГц
Выходная мощность насыщения (Вт) 20 Вт при 9 ГГц
КПД (%) 68% при 9 ГГц
Смещение Uси = 30 В; Iс = 200 мА
Корпус Кристалл
Размер (мм) 2 х 0.88 х 0.1
Цена : по запросу

GaN HEMT-транзистор компании UMS — CHK8015-99F

CHK8015-99F — нитрид-галиевый транзистор с высокой подвижностью электронов (GaN HEMT). Данный прибор подходит для широкого спектра применений, в том числе — для применения в радиолокационных и телекоммуникационных системах. CHK8015-99F разработан по GaN HEMT-технологии с длиной завтора 250нм. Для работы данному транзистору требуется внешняя согласованная схема.

Уточнить наличие интересующей Вас товарной позиции можно по телефону: +7 (812) 7777‑080 (по будним дням с 9:30 до 18:00 по московскому времени) и e‑mail: contact@oessp.ru.

ОЭС "Спецпоставка" является крупнейшим поставщиком электронных компонентов и оборудования в России. Мы поставляем высококачественную продукцию при неизменно высоком уровне сервиса.

Сотрудничая с нами, вы получите полную инженерную поддержку на протяжении всего процесса поставки. Мы подберем оборудование и компоненты для вашего проекта, найдем альтернативные замены от надежных производителей из Юго-Восточной Азии. Заказанные вами функциональные блоки и модули будут доставлены в срок.

Наша компания предлагает удобные формы оплаты и различные способы доставки.

Как сделать запрос, подобрать аналоги (замену) для оборудования и компонентов?
Телефоны

+7 (812) 7777-080 (Санкт-Петербург)

8 (800) 707-41-35 (бесплатно по РФ)

E-mail

Отправьте свой запрос, и наши специалисты свяжутся с вами в ближайшее время

Основные характеристики
Производитель UMS
Артикул CHK8015-99F
Частотный диапазон (ГГц) DC-18
Коэффициент усиления (дБ) 17 дБ при 9 ГГц
Выходная мощность насыщения (Вт) 20 Вт при 9 ГГц
КПД (%) 68% при 9 ГГц
Смещение Uси = 30 В; Iс = 200 мА
Корпус Кристалл
Размер (мм) 2 х 0.88 х 0.1
GaN HEMT-транзистор компании UMS — CHK8015-99F CHK8015-99F — нитрид-галиевый транзистор с высокой подвижностью электронов (GaN HEMT). Данный прибор подходит для широкого спектра применений, в том числе — для применения в радиолокационных и телекоммуникационных системах. CHK8015-99F разработан по GaN HEMT-технологии с длиной завтора 250нм. Для работы данному транзистору требуется внешняя согласованная схема. Уточнить наличие интересующей Вас товарной позиции можно по телефону: +7 (812) 7777‑080 (по будним дням с 9:30 до 18:00 по московскому времени) и e‑mail: contact@oessp.ru.
DMCA.com Protection Status