Транзистор компании UMS — CHK025-SOA
Производители:
UMS
Описание
- Описание
- Характеристики
| Частотный диапазон (ГГц) | DC-5 |
| Коэффициент усиления (дБ) | 17 дБ при 4 ГГц |
| Выходная мощность насыщения (дБ) | 45 дБ при 4 ГГц |
| КПД (%) | 60% при 4 ГГц |
| Смещение | Uси = 50 В ; Ic =200 мА |
| Корпус | Керамика |
| Размер (мм) | 20 х 4.24 х 2.7 |
GaN HEMT-транзистор компании UMS — CHK025-SOA
CHK025-SOA — несогласованный корпусированный нитрид-галиевый транзистор с высокой подвижностью электронов (GaN HEMT). Данный прибор подходит для широкого спектра применений, в том числе — для применения в радиолокационных и телекоммуникационных системах. CHK025-SOA разработан по GaN HEMT-технологии с длиной завтора 500нм. Для работы данному транзистору требуется внешняя согласованная схема.
Уточнить наличие интересующей Вас товарной позиции можно по телефону: +7 (812) 7777‑080 (по будним дням с 9:30 до 18:00 по московскому времени) и e‑mail: contact@oessp.ru.
ОЭС "Спецпоставка" является крупнейшим поставщиком электронных компонентов и оборудования в России. Мы поставляем высококачественную продукцию при неизменно высоком уровне сервиса.
Сотрудничая с нами, вы получите полную инженерную поддержку на протяжении всего процесса поставки. Мы подберем оборудование и компоненты для вашего проекта, найдем альтернативные замены от надежных производителей из Юго-Восточной Азии. Заказанные вами функциональные блоки и модули будут доставлены в срок.
Наша компания предлагает удобные формы оплаты и различные способы доставки.
- Отправьте ПН, спецификацию изделий, сборочный чертеж и другие файлы проекта на contact@oessp.ru
- Получите консультацию, задайте вопросы по телефону 8 (800) 707-41-35 (бесплатно по всей России)
- Используйте форму для запроса у нас на сайте
+7 (812) 7777-080 (Санкт-Петербург)
8 (800) 707-41-35 (бесплатно по РФ)
| Производитель | UMS |
| Артикул | CHK025-SOA |
| Частотный диапазон (ГГц) | DC-5 |
| Коэффициент усиления (дБ) | 17 дБ при 4 ГГц |
| Выходная мощность насыщения (дБ) | 45 дБ при 4 ГГц |
| КПД (%) | 60% при 4 ГГц |
| Смещение | Uси = 50 В ; Ic =200 мА |
| Корпус | Керамика |
| Размер (мм) | 20 х 4.24 х 2.7 |
