Получить КП
0
Февраль 2023
Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
30 31 01 02 03 04 05
06 07 08 09 10 11 12
13 14 15 16 17 18 19
20 21 22 23 24 25 26
27 28 01 02 03 04 05
Новости компании
  • 28-12-2022
    Поздравляем с Новым 2023 годом!
    Подробнее
  • 26-12-2022
    «ОЭС Спецпоставка» официальный партнёр NINGBO DEGSON ELECTRICAL
    Подробнее
  • 04-11-2022
    Поздравляем с Днём народного единства!
    Подробнее

Транзистор IRF7341TRPBF

PDF

Описание

  • Описание
  • Характеристики
  • PDF
IRF7341TRPBF
Данные:
Страна Тайвань (Китай)
Производитель INFINEON
Описание Транзистор
Структура 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.05 Ом/4.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 7.9
Цена : 64 руб.
В наличии
Актуальную цену на данный товар уточняйте в отделе продаж!

IRF7341TRPBF транзистор, 2N-канала 55В 4.7А [SO-8] на складе в Санкт-Петербурге.

Основные характеристики
Производитель Infineon Technologies
Артикул IRF7341TRPBF
Страна Тайвань (Китай)
Производитель INFINEON
Описание Транзистор
Структура 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.05 Ом/4.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 7.9
Корпус soic-8
Вес, г 0.15
документация
IRF7341TRPBF транзистор, 2N-канала 55В 4.7А [SO-8] на складе в Санкт-Петербурге.
DMCA.com Protection Status