Санкт-Петербург
  • А
  • Б
  • Ч
  • Е
  • Х
  • И
  • К
  • Л
  • М
  • Н
  • О
  • П
  • Р
  • С
  • Т
  • У
  • В
  • Я
  • З
  • М
  • С
Заказать оборудование
Избранное 0
Март 2019
Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
25 26 27 28 01 02 03
04 05 06 07 08 09 10
11 12 13 14 15 16 17
18 19 20 21 22 23 24
25 26 27 28 29 30 31

Новости компании

  • 22-01-2019

    "ОЭС СПЕЦПОСТВКА" - СПОНСОР 2-ОЙ РОССИЙСКОЙ ШКОЛЫ ПО КВАНТОВЫМ ТЕХНОЛОГИЯМ

    Подробнее
  • 18-01-2019

    Приглашение на выставку

    Подробнее
  • 18-01-2019

    «ОЭС Cпецпоставка» участник VIII Международной Конференции по Фотонике и Информационной Оптике, 23-25 января 2019 года, Москва, НИЯУ МИФИ

    Подробнее

Semelab

ПРОИЗВОДИТЕЛЬ МИКРОСХЕМ ДЛЯ ПОСТРОЕНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ SEMELAB

 TT electronics Semelab Ltd (Semelab) (Великобритания) – один из признанных мировых лидеров в разработке и производстве микросхем для построения электронных систем, находящих применение в авиации и космосе, медицине, автомобильной электронике и промышленном оборудовании. В структуре производителя Semelab имеется свой научно-исследовательский центр. Особое внимание в компании уделяется тестированию микросхем на всех этапах производства.
 

Номенклатура изделий включает в себя силовые модули, MOSFET, JFET, ВЧ силовые MOSFET, IGBT модули, биполярные транзисторы и транзисторные сборки, диоды, регуляторы напряжения для использования в изделиях ответственного применения, заказные сборки.

ОСНОВНАЯ ПРОДУКЦИЯ

  • MOSFET транзисторы;
  • ВЧ транзисторы;
  • Биполярные транзисторы;
  • IGBT модули;
  • Силовые модули и сборки;
  • Силовые диоды;
  • Высоконадежные регуляторы напряжения.

Отдельно стоит упомянуть транзисторы для построения усилительных каскадов систем УКВ/ КВ связи. Semelab предлагает широкий спектр высокопроизводительных силовых ВЧ MOSFET транзисторов, мощностью от 750 мВт до 400 Вт и частотой до 1 ГГц, для питания транзисторов используется напряжение – 12,5 В, 28 В и 50 В.

 

Линейка продукции включает в себя более 90 микросхем данного типа в различных видах исполнения и предназначенных для использования в устройствах различного применения – от, к примеру, недорогих гражданских радиостанций до высокопроизводительных систем специального применения. В технологическом процессе производства микросхем используется металлизация золотом для достижения максимально лучших технических показателей.

Микросхемы доступны в различных по исполнению корпусах - от пластиковых до керамических.

Ключевые особенности линейки силовых ВЧ транзисторов MOSFET:

  • Широкий частотный диапазон – от 1 МГц до 1 ГГц;
  • Максимальное усиление за счет уменьшения эффекта Миллера;
  • Коэффициент усиления 20 дБ для VHF диапазона, 16 дБ для UHF;
  • Широкий диапазон мощности – от 750 мВт до 400 Вт;
  • Высокая эффективность – более 50%;
  • Высокая надежность за счет применения золотой металлизации;
  • Низкая емкость обратной связи;
  • Отличная стабильность характеристик в широком диапазоне температур.

Применение:

  • Сотовая связь;
  • Измерительное оборудование для ЭМС;
  • Медицинская электроника;
  • Усилительные каскады для замены ЛБВ;
  • Спецсвязь, средства подавления радиосигнала;
  • Цифровое радиовещание;
  • КВ/УКВ радиостанции;
  • Носимые радиостанции и базовые станции стандарта TETRA.
 

DMCA.com Protection Status