Новостной портал photonica.proПерейти на старую версию сайта

Категория

  • Оптика и фотоника
  • ВЧ и СВЧ компоненты
  • Активные компоненты
  • Системы отображения информации
  • Обработка материалов
0
Избранное
0
связаться с нами

10 Гб/с InGaAs PIN чип фотодиода PD10W1

Описание

  • Описания
  • Характеристики

Данные:

Активный материал: InGaAs
Тип фотоприемника: PIN
Спектральный диапазон (нм): 1260 - 1620
Темновой ток (нА): 3
Чувствительность (А/Вт): 0,9
Оптимизация под передачу данных: 10 Гбит/с
Ёмкость (фФ): 180
Конфигурация контактной площадки: G-S-G
Попадание света: сверху
Исполнение: Чип

Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с G-S-G конфигурацией контактной площадки . Эти фотодиоды со входом света сверху разработаны для одномодовой и многомодовой передачи данных в длинноволновом диапазоне для цифровых телекоммуникаций до 10 Гбит/с. Они имеют превосходную чувствительность во всем рабочем диапазоне от 1260 до 1620 нм. В этих фотодиоды найден оптимальный компромисс между большим активным диаметром и низкой ёмкостью, что позволяет достичь максимальной скорости при низком напряжении смещения.

Компания Albis предлагает передовые технологии производства InGaAs/GaAs/InP фотодиодов как ключевого элемента в сборках TO-can, TOSA, PLC и других приемных оптических модулях. Используя свой более чем 20-летний опыт работы, специалисты компании Albis предлагают современные, надежные и высококачественные фотодиоды для передачи как цифровой, так и аналоговой информации.

Особенности:

  • Оптимизация под соеднение как с одномодовым так и с многомодовым волокном
  • Чувствительность 0,9 А/Вт
  • Низкая ёмкость: 180 фФ
  • Низкий темновой ток: 3 нА

Компания ОЭС «Спецпоставка» является эксклюзивным дистрибьютором компании Albis на территории РФ и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции, полную техническую поддержку, а также поставку образцов.

Основные характеристики

Тип: PIN
Активный материал: InGaAs
Исполнение: Чип / Чип на носителе
Активный материал: InGaAs
Тип фотоприемника: PIN
Спектральный диапазон (нм): 1260 - 1620
Темновой ток (нА): 3
Чувствительность (А/Вт): 0,9
Оптимизация под передачу данных: 10 Гбит/с
Ёмкость (фФ): 180
Конфигурация контактной площадки: G-S-G
Попадание света: сверху
Исполнение: Чип
DMCA.com Protection Status