Новостной портал photonica.proПерейти на старую версию сайта

Категория

  • Оптика и фотоника
  • ВЧ и СВЧ компоненты
  • Активные компоненты
  • Системы отображения информации
  • Обработка материалов
0
Избранное
0
связаться с нами

12 Гб/с InGaAs PIN чип фотодиода PD10E1

Описание

  • Описания
  • Характеристики

Данные:

Активный материал: InGaAs
Тип фотоприемника: PIN
Спектральный диапазон (нм): 1260 - 1620
Темновой ток (нА): 2
Чувствительность (А/Вт): 0,95
Оптимизация под передачу данных: 12 Гбит/с
Ёмкость (фФ): 120
Конфигурация контактной площадки: Двойная
Попадание света: сверху
Исполнение: Чип

Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с топологией двойной контактной площадки и большой апертурой для облегчения соединения с оптическим волокном. Эти фотодиоды со входом света сверху разработаны для одномодовой передачи данных в длинноволновом диапазоне для цифровых телекоммуникаций до 12.7 Гбит/с. Они имеют превосходную чувствительность во всем рабочем диапазоне от 1260 до 1620 нм, а широкополосное просветляющее покрытие обеспечивает низкие потери на отражение. Фотодиоды иеют низкую ёмкость и достигают полной скорости при низких напряжениях смещения.

Компания Albis предлагает передовые технологии производства InGaAs/GaAs/InP фотодиодов как ключевого элемента в сборках TO-can, TOSA, PLC и других приемных оптических модулях. Используя свой более чем 20-летний опыт работы, специалисты компании Albis предлагают современные, надежные и высококачественные фотодиоды для передачи как цифровой, так и аналоговой информации.

Особенности:

  • Большая апертура
  • Чувствительность 0,95 А/Вт
  • Низкая ёмкость: 120 фФ
  • Низкий темновой ток: 2 нА
  • Большие контактные площадки, подходит как для проволочного монтажа, так и для монтажа лицевой поверхностью к подложке

Компания ОЭС «Спецпоставка» является эксклюзивным дистрибьютором компании Albis на территории РФ и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции, полную техническую поддержку, а также поставку образцов.

Основные характеристики

Тип: PIN
Активный материал: InGaAs
Исполнение: Чип / Чип на носителе
Активный материал: InGaAs
Тип фотоприемника: PIN
Спектральный диапазон (нм): 1260 - 1620
Темновой ток (нА): 2
Чувствительность (А/Вт): 0,95
Оптимизация под передачу данных: 12 Гбит/с
Ёмкость (фФ): 120
Конфигурация контактной площадки: Двойная
Попадание света: сверху
Исполнение: Чип
DMCA.com Protection Status