Новостной портал photonica.proПерейти на старую версию сайта

Категория

  • Оптика и фотоника
  • ВЧ и СВЧ компоненты
  • Встраиваемые вычислительные системы
  • Источники питания
  • Активные компоненты
  • Материалы и оборудование для микроэлектроники
  • Кабельно-проводниковая продукция
  • Системы отображения информации
0
Избранное
0
связаться с нами

Лавиннный InGaAs фотодиод с большой площадью C30662

Описание

  • Описания
  • Характеристики
  • Рекомендации по Использованию
  • PDF

Данные:

Активный материал: InGaAs
Тип фотоприемника: Лавинный
Спектральный диапазон (нм): 1100 - 1700
Диаметр активной области (мкм): 200
Оптимизация под длину волны (нм): 1550
Чувствительность (@1550 нм) (А/Вт): 9.3
Полоса пропускания (3 дБ, M=10) (МГц)): 850
Ёмкость (пФ): 2.5
Квантовая эффективность (1300-1550 нм) (%): 75
Темновой ток (M=10, тип-макс) (нА): 45 - 150

Фотодиоды серии C30662 Excelitas Technologies - это высокоскоростные InGaAs/InP лавинные фотодиоды с большой площадью. Они имеют высокую квантовую эффективность, высокую чувствительность и низкие шумы в спектральном диапазоне от 1100 до 1700 нм. Изделия оптимизированы на работу с излучением 1550 нм и подходят для использования в безопасной для глаз дальнометрии. Фотодиоды поставляются в корпусе TO-18 или на керамиеской положке. Продукция Excelitas Technologies соответствует требованиям сертификатов качества ISO-9001, MIL-STD-883 и MIL-STD-750.

Опции для заказа:

  • Исполнение: TO-18 или керамическая подложка
  • Окно: кремниевое или стеклянное окно с большой или малой апертурой
  • Соответствие RoHS
  • Дополнительное экранирование

Компания «ОЭС Спецпоставка» является партнером компании Excelitas Technologies на территории России и Таможенного Союза и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции, полную техническую поддержку, а также поставку образцов.

 

Основные характеристики

Тип: APD (лавинный фотодиод)
Активный материал: InGaAs
Исполнение: TO-can
Активный материал: InGaAs
Тип фотоприемника: Лавинный
Спектральный диапазон (нм): 1100 - 1700
Диаметр активной области (мкм): 200
Оптимизация под длину волны (нм): 1550
Чувствительность (@1550 нм) (А/Вт): 9.3
Полоса пропускания (3 дБ, M=10) (МГц)): 850
Ёмкость (пФ): 2.5
Квантовая эффективность (1300-1550 нм) (%): 75
Темновой ток (M=10, тип-макс) (нА): 45 - 150
Напряжение пробоя (В): 45 - 70
Прямой ток (мА): 5
Рабочий диапазон температур: -20 .. +70 °С

Рекомендации по Использованию

Безопасная для глаз дальнометрия

Рефлектометрия (OTDR)

Оптические телекоммуникации